Cuộc chiến để đạt được khả năng ép xung bộ nhớ cao nhất trên nền tảng Intel Z790 vẫn chưa dừng lại. Chúng tôi nghĩ rằng chúng tôi đã nhìn thấy tất cả với kỷ lục trước đó rằng đã được đăng trên bo mạch chủ ASUS ROG Z790 APEX nhưng có vẻ như bộ ép xung nội bộ của Gigabyte, HiCookie đến từ Đài Loan, đã có một số bất ngờ.

Overclocker nổi tiếng đã sử dụng bo mạch chủ Z790 AORUS Tachyon có thiết kế DIMM kép và đã được thiết kế đặc biệt để ép xung bộ nhớ và CPU cực đoan. Bo mạch chủ được ghép nối với CPU Intel Core i9-13900K Raptor Lake nhưng phần quan trọng nhất là bộ nhớ có một cặp mô-đun AORUS DDR5-8333 của riêng Gigabyte với số sê-ri cụ thể là ‘ARS32G83D5’.

Để đạt được khả năng ép xung bộ nhớ DDR5 cụ thể này, bộ overclocker đã sử dụng làm mát LN2 và đẩy một mô-đun bộ nhớ DDR5 duy nhất lên DDR5-11136 (5567.5 Xung nhịp hiệu quả). Đây là hơn 11 Gb/s băng thông thô và thời gian CAS được đặt thành 64-127-127-127-127-2. Không có thông tin nếu một trong hai điện áp cổ phiếu đã được sử dụng hoặc nếu bộ nhớ được đẩy lên một chút, cái sau có vẻ rất có thể nhưng đây chắc chắn là một bộ nhớ lớn đối với đội Gigabyte. Bạn có thể tìm xác thực tại HWBOT tại đây và liên kết đến trình xác thực CPU-z tại đây cùng với ảnh chụp màn hình được đăng bên dưới:

Có vẻ như chúng ta đang tiến gần đến tốc độ DDR5-12600 tối đa cho tiêu chuẩn DDR5 rất sớm với những kết quả ép xung cực đoan này. Người ta thậm chí có thể tìm thấy bộ nhớ DDR5 với tốc độ truyền lên đến 8000/9000 Mbps trong phân khúc người tiêu dùng, tuy nhiên chúng có giá cao và cuối cùng sẽ đi xuống khi tiêu chuẩn lớn hơn và được áp dụng rộng rãi, điều này sẽ tương đối sớm nhờ vào sự thúc đẩy mới nhất của AMD và Intel.