Hôm nay, SK hynix Inc. đã thông báo rằng họ đã phát triển thành công HBM3E, thế hệ tiếp theo của DRAM có thông số kỹ thuật cao nhất cho các ứng dụng AI hiện có và cho biết đánh giá từ khách hàng về các mẫu là đang được tiến hành.

HBM (High Bandwidth Memory) bộ nhớ băng thông cao. Đây là công nghệ được sử dụng trong các sản phẩm điện tử như: (GPU), bộ nhớ chính của máy tính (RAM), và các ứng dụng khác đòi hỏi tốc độ truyền dữ liệu cao. HBM3E là thế hệ thứ 5 của loại này, trước đó là HBM, HBM2, HBM2E, HBM3.

Về HBM3E, công ty cho biết sự phát triển thành công của HBM3E, phiên bản mở rộng của HBM3 cung cấp các thông số kỹ thuật tốt nhất thế giới, xuất phát từ kinh nghiệm của họ với tư cách là nhà cung cấp HBM3 hàng loạt duy nhất trong ngành.

SK hynix có kế hoạch sản xuất hàng loạt HBM3E từ nửa đầu năm tới và củng cố vị trí dẫn đầu của mình trên thị trường bộ nhớ AI.

Về tốc độ, bộ nhớ HBM3E có khả năng xử lý dữ liệu lên đến 1.15 terabyte (TB) mỗi giây, tương đương việc xử lý hơn 230 bộ phim Full HD có kích thước 5GB mỗi bộ phim trong một giây.

Ngoài ra, sản phẩm còn cải tiến 10% trong khả năng tiêu thụ nhiệt bằng cách áp dụng công nghệ tiên tiến Advanced Mass Reflow Molded Underfill, hay MR-MUF2, lên sản phẩm mới nhất. Nó cũng cung cấp khả năng tương thích ngược với việc áp dụng sản phẩm mới nhất ngay cả trên các hệ thống đang và đã được sử dụng cho HBM3 mà không cần thay đổi thiết kế hoặc cấu trúc.