Sự phát triển công nghệ mới không bao giờ dừng lại ở những công ty hàng đầu như TSMC. Do đó, không có gì đáng ngạc nhiên khi biết rằng việc phát triển node 3nm TSMC đang tiến triển tốt, điều mà công ty đã xác nhận tuần trước. Khi xuất hiện, công nghệ sản xuất đã vượt qua giai đoạn tìm đường (pathfinding – Không biết dịch kiểu gì luôn) và TSMC đã sẵn sàng tiếp cận khách hàng sớm.

“Trên N3, tiến trình phát triển công nghệ đang diễn ra rốt đẹp, và chúng ta đã sẵn sáng tiếp cận khách hàng sớm trong định nghĩa công nghệ.” theo C.C. Wei – CEO kiêm chủ tịch của TSMC trong cuộc gọi hội nghị với nhà đầu tư và phân tích tài chính. “Chúng tôi đang chờ đợi công nghệ 3nm của chính mình để tiếp tục tăng cường vị trí dẫn đầu trong tương lai.“

Do công nghệ N3 đang ở giai đoạn phát triển ban đầu, TSMC hiện không nói về các đặc điểm cụ thể của quy trình cũng như các ưu điểm của nó so với N5. TSMC cho biết họ đã đánh giá tất cả các tùy chọn cấu trúc bóng bán dẫn có thể cho 3nm và đưa ra một giải pháp rất tốt cho các khách hàng của mình. Đặc điểm kỹ thuật đang được phát triển và công ty tự tin sẽ đáp ứng yêu cầu của khách hàng hàng đầu.

Một trong những đối thủ của TSMC, Samsung Foundry, có kế hoạch sử dụng các bóng bán dẫn MBCFE dựa trên cổng nanosheet cho công nghệ xử lý 3nm (3GAAE) của riêng mình. Vì TSMC sẽ phải cạnh tranh với đối thủ của mình, chúng tôi hy vọng công ty cũng sẽ cải thiện đáng kể nút 3nm so với nút 5nm của mình. Trên thực tế, TSMC xác nhận rằng N3 là một công nghệ xử lý hoàn toàn mới, không phải là sự cải tiến hay lặp lại của N5

Trong khi đó, khá an toàn khi nói rằng tiến trình TSMC 3nm sẽ sử dụng cả thiết bị quang khắc cực tím sâu (DUV) và cực tím (EUV). Từ khi N5 của TSMC sử dụng 14 lớp EUV, nên có khả năng N3 sẽ còn tăng cao hơn về số lượng lớp được sử dụng. Nhà sản xuất bán dẫn lớn nhất thế giới cũng có vẻ khá hài lòng với tiến bộ EUV của mình và coi công nghệ này là quan trọng cho tương lai của nó